El
efecto fotoeléctrico fue descubierto por Heinrich Hertz en 1887, al observar
que el arco que salta entre dos electrodos conectados a alta tensión alcanza
distancias mayores cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se deja en
la oscuridad. Un Año después, Hallwachs hizo una importante observación de que
la luz ultravioleta al incidir sobre un cuerpo cargado negativamente causaba la
perdida su carga, mientras que no afectaba a un cuerpo con carga positiva. Diez
años más tarde, J. Thomson y P. Lenard demostraron independientemente, que la
acción de la luz era la causa de la emisión de cargas negativas libres por la
superficie del metal. Aunque no hay diferencia con los demás electrones, se
acostumbra denominar fotoelectrones a estas cargas negativas.
Heinrich
Hertz establece básicamente que los electrones de una superficie metálica
pueden escapar de ella si adquieren la energía suficiente suministrada por luz
de longitud de onda lo suficientemente corta. Hallwachs y Lenard estudiaron
también este efecto años después.
Posteriormente Einstein le dio el significado correcto en 1905, en el que dice que un haz de luz se compone de paquetes de energía llamados cuantos de luz o fotones. Cuando el fotón choca contra un electrón en la superficie de un metal, el fotón le puede transmitir energía al electrón, con la cual podría este escapar de la superficie del metal.
Posteriormente Einstein le dio el significado correcto en 1905, en el que dice que un haz de luz se compone de paquetes de energía llamados cuantos de luz o fotones. Cuando el fotón choca contra un electrón en la superficie de un metal, el fotón le puede transmitir energía al electrón, con la cual podría este escapar de la superficie del metal.
Efecto
fotoeléctrico externo
Es
la formación y liberación de partículas eléctricamente cargadas que se produce
en la materia cuando es irradiada con luz u otra radiación electromagnética. El
término efecto fotoeléctrico designa varios tipos de interacciones similares.
En el efecto fotoeléctrico externo se liberan electrones en la superficie de un
conductor metálico al absorber energía de la luz que incide sobre dicha
superficie. Este efecto se emplea en la célula fotoeléctrica, donde los
electrones liberados por un polo de la célula, el fotocátodo, se mueven hacia
el otro polo, el ánodo, bajo la influencia de un campo eléctrico. El estudio
del efecto fotoeléctrico externo desempeñó un papel importante en el desarrollo
de la física moderna. Una serie de experimentos iniciados en 1887 demostró que
el efecto fotoeléctrico externo tenía determinadas características que no
podían explicarse por las teorías de aquella época, que consideraban que la luz
y todas las demás clases de radiación electromagnética se comportaban como
ondas. Por ejemplo, a medida que la luz que incide sobre un metal se hace más
intensa, la teoría ondulatoria de la luz sugiere que en el metal se liberarán
electrones con una energía cada vez mayor. Sin embargo, los experimentos
mostraron que la máxima energía posible de los electrones emitidos sólo depende
de la frecuencia de la luz incidente, y no de su intensidad. En 1905, para
tratar de explicar el mecanismo del efecto fotoeléctrico externo, Albert
Einstein sugirió que podría considerarse que la luz se comporta en determinados
casos como una partícula, y que la energía de cada partícula luminosa, o fotón,
sólo depende de la frecuencia de la luz. Para explicar el efecto fotoeléctrico
externo, Einstein consideró la luz como un conjunto de "proyectiles"
que chocan contra el metal. Cuando un electrón libre del metal es golpeado por
un fotón, absorbe la energía del mismo. Si el fotón tiene la suficiente
energía, el electrón es expulsado del metal. La teoría de Einstein explicaba
muchas características del efecto fotoeléctrico externo, como por ejemplo el
hecho de que la energía máxima de los electrones expulsados sea independiente
de la intensidad de la luz. Según la teoría de Einstein, esta energía máxima
sólo depende de la energía del fotón que lo expulsa, que a su vez sólo depende
de la frecuencia de la luz. La teoría de Einstein se verificó por experimentos
posteriores. Su explicación del efecto fotoeléctrico, con la demostración de
que la radiación electromagnética puede comportarse en algunos casos como un
conjunto de partículas, contribuyó al desarrollo de la teoría cuántica. El
término efecto fotoeléctrico también puede referirse a otros tres procesos: la
fotoionización, la fotoconducción y el efecto fotovoltáico. La fotoionización
es la ionización de un gas por la luz u otra radiación electromagnética. Para
ello, los fotones tienen que poseer la suficiente energía para separar uno o
más electrones externos de los átomos de gas. En la fotoconducción, los
electrones de materiales cristalinos absorben energía de los fotones y llegan
así a la gama de niveles de energía en la que pueden desplazarse libremente y
conducir electricidad. En el efecto fotovoltáico, los fotones crean pares
electrón-hueco en materiales semiconductores. En un transistor, este efecto
provoca la creación de un potencial eléctrico en la unión entre dos
semiconductores diferentes.
Efecto
fotoeléctrico interno
En
el fotoefecto interno los electrones excitados permanecen dentro de la
sustancia, contrario al fotoefecto externo. Cuando el material es irradiado,
electrones de la banda de valencia son llevados a la banda de conducción y
aumenta la conductividad eléctrica del material irradiado. Este aumento de
conductividad se llama fotoconducción. En el caso en de los metales, debido a
su alta conductividad eléctrica base, el aumento de conductividad por radiación
es insignificante, por eso el fotoefecto interno se emplea tanto en los
semiconductores dopados como en los intrínsecos.
La
conductividad intrínseca es ocasionada por electrones y huecos térmicamente
generados, que están presentes en iguales concentraciones. Cuando la sustancia
es irradiada, portadores de carga libres adicionales son producidos por la
energía del fotón con lo que se mejora la conductividad. Mediante el dopado
deliberado de un semiconductor con donantes o aceptores, se obtiene un
semiconductor tipo P o N.
Medida
de h por Millikan
La
letra h en la ecuación de Einstein, es importante porque es fundamental para la
estructura de la materia y, por lo tanto, es una constante universal. Habiendo
sido introducida primero por Planck, en 1901, el nombre de la constante de
Planck se ha adherido firmemente a este símbolo h. La primera confirmación
experimental de la ecuación fotoeléctrica de Einstein vino en 1912, cuando A.
L. Hugues; e independiente O. W. Richardon y K. T. Compton, observaron que la
energía de los fotoelectrones aumentaba proporcionalmente con la frecuencia. La
constante de proporcionalidad que ellos encontraron es aproximadamente igual a
la constante h de Planck.
Posteriormente,
Millikan realizo una serie de experimentos exhaustivos que establecieron la
ecuación fotoeléctrica de tan preciso, que sus trabajos se consideran ahora
como los que dan el valor más exacto de h.
Para
esto fue necesario medir los tres factores v, W y ½ mv2, y despejar
la incógnita h de la siguiente ecuación:
Ve = ½ mv2
Experimentos
previos realizados sobre el efecto fotoeléctrico demuestran que obtenerse
buenos resultados solo si las superficies metálicas están adecuadamente
limpias.
Umbral
fotoeléctrico
Una
vez hechas las mediciones, Millikan calculo las energías correspondientes a los
fotones para diversas frecuencias de luz y represento los resultados sobre un
gráfico. El punto de intersección entre la recta u el eje horizontal
determinara la frecuencia umbral v0.
El
umbral fotoeléctrico se define como la frecuencia para la cual la luz que
incide sobre la superficie metálica solo puede liberar los electrones, pero sin
comunicarles energía cinética adicional. Para esta frecuencia, la energía
cinética ½ mv2 de la ecuación de Einstein es nula y la energía
del fotón está dada por
W = hv0
El
valor de h es 6.6261965 x 10-34 joule segundo.
El
Premio Nobel de Física asignado a Millikan en 1923 le fue otorgado en primer
lugar por sus importantes trabajos experimentales de determinación de la
constante de Plank y en segundo lugar también por la carga electrónica e.
Componente
electrónico basado en el efecto fotoeléctrico. En su forma más simple, se
compone de un ánodo y un cátodo recubierto de un material fotosensible. La luz
que incide sobre el cátodo libera electrones que son atraídos hacia el ánodo,
de carga positiva, originando un flujo de corriente proporcional a la
intensidad de la radiación. Las células fotoeléctricas pueden estar vacías o
llenas de un gas inerte a baja presión para obtener una mayor sensibilidad.
Una variante de la célula fotoeléctrica, el fototubo multiplicador o fotomultiplicador, consiste en una serie de placas metálicas dispuestas de forma que la emisión fotoeléctrica se amplifica mediante una emisión eléctrica secundaria. El fototubo multiplicador es capaz de detectar radiaciones extremadamente débiles, por lo que es una herramienta esencial en el área de la investigación nuclear.
Una variante de la célula fotoeléctrica, el fototubo multiplicador o fotomultiplicador, consiste en una serie de placas metálicas dispuestas de forma que la emisión fotoeléctrica se amplifica mediante una emisión eléctrica secundaria. El fototubo multiplicador es capaz de detectar radiaciones extremadamente débiles, por lo que es una herramienta esencial en el área de la investigación nuclear.
Fotomultiplicador |
Aplicación de los fotomultiplicadores |
Paneles
fototérmicos
Reflexión
y refracción
Refracción:
En términos simples, la refracción es al cambio de dirección
que tiene la luz al cambiar de medio en
el que viaja. Sabemos que la velocidad de la luz no es la misma en el agua,
aire, vidrio, etc. Por lo tanto, cuando un rayo de luz pasa por este cambio, su
velocidad así como su dirección cambian dependiendo el caso.
Tal es el caso que:
- Si la luz pasa de un medio más rápido a otro
más lento (por ejemplo del aire al vidrio flint), el ángulo de refracción
es menor que el de incidencia.
- Si pasa de un medio de mayor índice de
refracción a otro con menor índice de refracción (por ejemplo del diamante
al agua), el ángulo de refracción es mayor que el de incidencia.
- En éste último caso, si el ángulo de
incidencia es mayor que el ángulo límite no se produce refracción, sino lo
que se denomina reflexión total.
El
fenómeno de la reflexión total permite que podamos canalizar la luz a través de
pequeños tubos de diferentes sustancias que se denominan fibras ópticas.
El fenómeno de la
refracción se rige por la llamada ley de la refracción o ley de Snell:
n1 sen i
= n2 sen r
|
n1 = índice de
refracción del medio del que procede.
i = ángulo de incidencia n2 = índice de refracción del medio en el que se refracta. r = ángulo de refracción |
Reflexión:
Cuando la luz incide sobre un cuerpo, éste devuelve la luz
de una proporción mayor o menor dependiendo las propiedades de cada uno, a éste
fenómeno lo conocemos como reflexión. La
razón por la cual la luz no se refleja
de igual forma en todos los cuerpos es porque hay varios tipos de reflexión.
Reflexión
especular. Este es el caso
de los espejos y de la mayoría de las superficies duras y pulidas. Al tratarse
de una superficie lisa, los rayos reflejados son paralelos, es decir tienen la
misma dirección.
Reflexión
difusa. En el caso de la reflexión difusa los rayos son reflejados en
distintas direcciones debido a la rugosidad de la superficie. Este tipo
de reflexión la encontramos en los polvos.
Reflexión extendida. Es solo una combinación
entre ambas reflexiones (difusa y especular). Tiene un componente direccional
dominante que es difundido parcialmente por irregularidades de la superficie.
Reflexión mixta. Es una
combinación de reflexión especular, extienda y difusa. Este tipo de reflexión
mixta es que se da en la mayoría de los materiales reales.
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